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NTC080N120SC1

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onsemi

SIC MOS WAFER SALES 80MOHM 1200V

no conforme

NTC080N120SC1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $10.42750 $10.4275
500 $10.323225 $5161.6125
1000 $10.21895 $10218.95
1500 $10.114675 $15172.0125
2000 $10.0104 $20020.8
2500 $9.906125 $24765.3125
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Last Time Buy
tipo feto N-Channel
tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 31A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 20V
rds activado (máximo) @ id, vgs 110mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máximo) @ id 4.3V @ 5mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 56 nC @ 20 V
vgs (máximo) +25V, -15V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1112 pF @ 800 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 178W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor Die
paquete / caja Die
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Número de pieza relacionado

BUK7M6R7-40HX
FQP20N06
FQP20N06
$0 $/pedazo
IXFK80N60P3
IXFK80N60P3
$0 $/pedazo
RM2333
RM2333
$0 $/pedazo
RSJ550N10TL
ZVP3310FTA
R5009FNX
R5009FNX
$0 $/pedazo
PMPB11EN,115

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