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Nombre | Valor |
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Estado del producto | Last Time Buy |
tipo feto | N-Channel |
tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 1200 V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 31A (Tc) |
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 20V |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 110mOhm @ 20A, 20V |
vgs(th) (máximo) @ id | 4.3V @ 5mA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 56 nC @ 20 V |
vgs (máximo) | +25V, -15V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 1112 pF @ 800 V |
característica fet | - |
disipación de potencia (máxima) | 178W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete de dispositivo del proveedor | Die |
paquete / caja | Die |
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