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RSJ550N10TL

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MOSFET N-CH 100V 55A LPTS

no conforme

RSJ550N10TL Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1,000 $1.89000 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 55A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 16.8mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 143 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 6150 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor LPTS
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

ZVP3310FTA
R5009FNX
R5009FNX
$0 $/pedazo
PMPB11EN,115
SIJ128LDP-T1-GE3
IPD60R600P6ATMA1
IRFB4610PBF
SIHB33N60E-GE3
SIHP21N80AEF-GE3
AUIRFR4620TRL

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