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SI3456DDV-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP

no conforme

SI3456DDV-T1-E3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.13405 -
6,000 $0.12635 -
15,000 $0.11865 -
30,000 $0.10941 -
75,000 $0.10556 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6.3A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 40mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 9 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 325 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 6-TSOP
paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número de pieza relacionado

DMP2305UVT-7
NTD20N06L-001
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$0 $/pedazo
PMPB100ENEX
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$0 $/pedazo
SISS30ADN-T1-GE3
IXFP5N100P
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$0 $/pedazo
P3M12040K4

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