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SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

SOT-23

no conforme

SQJ407EP-T1_GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.58056 -
6,000 $0.55330 -
15,000 $0.53383 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 60A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 4.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 260 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 10700 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
paquete / caja PowerPAK® SO-8
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Número de pieza relacionado

PSMN2R0-25YLDX
IXTP1N80P
IXTP1N80P
$0 $/pedazo
BUK761R8-30C,118
BUK761R8-30C,118
$0 $/pedazo
AUIRFR5305TRL
HUFA76419P3
FQPF12N60
2SJ589LS
2SJ589LS
$0 $/pedazo

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