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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
tipo feto | P-Channel |
tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 80 V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 2.1A (Ta), 3A (Tc) |
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 4.5V, 10V |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 164mOhm @ 2.1A, 10V |
vgs(th) (máximo) @ id | 2.5V @ 250µA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 10.2 nC @ 10 V |
vgs (máximo) | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 395 pF @ 40 V |
característica fet | - |
disipación de potencia (máxima) | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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